VLSI | 计算CMOS反相器的负载电容涉及的BSIM4中的相关参数
解释计算CMOS反相器的负载电容在BSIM4中的相关参数，文中提供晶体管模型可使用
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来自UMN的Microelectronics Co-design Research Group给出了晶体管PTM模型可以在SPICE仿真中使用：PTM (umn.edu)，但是由于使用Google才能下载，因此搬运到了这里，给大家免费下载使用，0.01最小单价，无盈利目的，如果侵犯您的权益，请与我联系。链接：MOS的Predictive Technology Model(PTM)免费下载
氧化层厚度tox：toxe、toxp、toxm
具体的，在模型中细分为以下参数：
| toxp |
Physical gate equivalent oxide thickness GPT解释仅供参考：物理栅极等效氧化层厚度。它是一个修正后的厚度值，用于更准确地反映MOSFET栅极的物理特性 |
| toxe |
Electrical gate equivalent oxide thickness GPT解释仅供参考：电气等效氧化层厚度。它是一个修正后的氧化层厚度值，用于更准确地反映MOSFET栅极的电气特性。 |
| toxm |
Gate oxide thickness at which parameters are extracted GPT解释仅供参考：用于提取和校准MOSFET模型参数的氧化层厚度。具体来说，toxm 是在器件制造过程中实际测量的氧化层厚度，并且是模型参数提取和仿真时的基准厚度。 |
结电容相关：mj、mjsw、pb、pbsw、cj、cjsw
- mj：底板结电容梯度系数。具体的，在模型中细分为以下参数：
| mjs | 表示源极与衬底之间的结电容的电势梯度系数 |
| mjd | 表示漏极与衬底之间的结电容的电势梯度系数 |
- mjsw：侧壁(side wall)结电容梯度系数。具体的，在模型中细分为以下参数：
| mjsws | 表示源极侧壁结电容的电势梯度系数 |
| mjswd | 表示漏极侧壁结电容的电势梯度系数 |
| mjswgd | 表示栅极侧壁结电容的电势梯度系数 |
- pb: 底板结电势势垒高度。具体的，在模型中细分为以下参数：
| pbs | 表示源极与衬底之间的结电势势垒高度 |
| pbd | 表示漏极与衬底之间的结电势势垒高度 |
- pbsw：侧壁(side wall)结电势势垒高度。具体的，在模型中细分为以下参数：
| pbsws | 表示源极侧壁结的电势势垒高度 |
| pbswd | 表示漏极侧壁结的电势势垒高度 |
| pbswgd | 表示栅极侧壁漏极结的电势势垒高度 |
| pbswgs | 表示栅极侧壁源极结的电势势垒高度 |
- cj: 底板零偏置条件下的结电容。具体的，在模型中细分为以下参数：
| cjs | 表示源极与衬底之间的零偏置条件下的结电容 |
| cjd | 表示漏极与衬底之间的零偏置条件下的结电容 |
- cjsw：侧壁(side wall)零偏置条件下的结电容。具体的，在模型中细分为以下参数：
| cjsws | 表示源极侧壁结的零偏置条件下的结电容 |
| cjswd | 表示漏极侧壁结的零偏置条件下的结电容 |
| cjswgd | 表示栅极侧壁漏极结的零偏置条件下的结电容 |
| cjswgs | 表示栅极侧壁源极结的零偏置条件下的结电容 |
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